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10 MeV高能电子辐照对4H-SiC晶体结构和电学性质的影响

刘晓星 袁智明 李岳彬 李根

首都师范大学学报(自然科学版)2022,Vol.43Issue(2):29-35,41,8.
首都师范大学学报(自然科学版)2022,Vol.43Issue(2):29-35,41,8.DOI:10.19789/j.1004-9398.2022.02.005

10 MeV高能电子辐照对4H-SiC晶体结构和电学性质的影响

Effect of 10 MeV high-energy electron irradiation on the crystal structure and electrical properties of 4H-SiC

刘晓星 1袁智明 2李岳彬 1李根1

作者信息

  • 1. 湖北大学物理与电子科学学院,湖北 武汉 430062
  • 2. 山西烁科晶体有限公司,山西 太原 030062
  • 折叠

摘要

关键词

4H-SiC/高能电子辐照/电阻率

分类

数理科学

引用本文复制引用

刘晓星,袁智明,李岳彬,李根..10 MeV高能电子辐照对4H-SiC晶体结构和电学性质的影响[J].首都师范大学学报(自然科学版),2022,43(2):29-35,41,8.

基金项目

湖北省自然科学基金项目(2021CFB078) (2021CFB078)

湖北大学自然科学基金项目(201910504000002) (201910504000002)

首都师范大学学报(自然科学版)

OACSTPCD

1004-9398

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