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碳化硅VDMOS的静态和动态辐射损伤及其比较

冯皓楠 余学峰 郭旗 杨圣 梁晓雯 张丹 蒲晓娟 孙静 魏莹 崔江维 李豫东

原子能科学技术2022，Vol.56Issue(4)：767-774,8.
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原子能科学技术2022，Vol.56Issue(4)：767-774,8.DOI:10.7538/yzk.2021.youxian.0696

碳化硅VDMOS的静态和动态辐射损伤及其比较

Static and Dynamic Radiation Damage of Silicon Carbide VDMOS and Their Comparison

冯皓楠 1余学峰 2郭旗 3杨圣 1梁晓雯 2张丹 1蒲晓娟 2孙静 1魏莹 2崔江维 3李豫东1

作者信息

  • 1. 中国科学院 特殊环境功能材料与器件重点实验室,新疆 乌鲁木齐 830011
  • 2. 中国科学院 新疆理化技术研究所,新疆电子信息材料与器件重点实验室,新疆 乌鲁木齐 830011
  • 3. 中国科学院大学,北京 100049
  • 折叠

摘要

关键词

碳化硅/总剂量效应/静态参数/动态特性/耗尽层

分类

数理科学

引用本文复制引用

冯皓楠,余学峰,郭旗,杨圣,梁晓雯,张丹,蒲晓娟,孙静,魏莹,崔江维,李豫东..碳化硅VDMOS的静态和动态辐射损伤及其比较[J].原子能科学技术,2022,56(4):767-774,8.

基金项目

国家自然科学基金(11975305) （11975305）

国家自然科学基金青年基金(11805268) （11805268）

原子能科学技术

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-6931

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