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基于LSTM-DHMM的MOSFET器件健康状态识别与故障时间预测

张明宇 王琦 于洋

电子学报2022，Vol.50Issue(3)：P.643-651,9.
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电子学报2022，Vol.50Issue(3)：P.643-651,9.DOI:10.12263/DZXB.20210047

基于LSTM-DHMM的MOSFET器件健康状态识别与故障时间预测

张明宇 1王琦 2于洋1

作者信息

  • 1. 沈阳工业大学信息科学与工程学院,辽宁沈阳110870
  • 2. 沈阳工业大学信息科学与工程学院,辽宁沈阳110870 辽宁工业大学,辽宁锦州121001
  • 折叠

摘要

关键词

故障预测与健康管理/MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)/长短时序列/离散隐马尔可夫模型/自回归模型/故障时间

分类

机械制造

引用本文复制引用

张明宇,王琦,于洋..基于LSTM-DHMM的MOSFET器件健康状态识别与故障时间预测[J].电子学报,2022,50(3):P.643-651,9.

基金项目

中航创新基金(No.sh2012-18)。 （No.sh2012-18）

电子学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

0372-2112

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