重离子在SiC,GaN,Ga_(2)O_(3)宽禁带半导体材料及器件中的辐照效应研究OACSTPCD
针对近年来出现的新型宽禁带半导体材料和器件,介绍了SiC,GaN,Ga_(2)O_(3)材料和器件重离子辐照效应的一些研究成果:SiC材料对重离子辐照不敏感,但SiC器件在高压工作条件下易发生重离子单粒子效应;GaN材料有较好的抗低能重离子辐照特性,但对快重离子辐照,易发生辐照损伤,影响GaN器件性能;Ga_(2)O_(3)材料快重离子辐照下易发生结构损伤,影响Ga_(2)O_(3)器件性能。同时着重阐述了SiC器件重离子辐照响应特性与失效机理,…查看全部>>
闫晓宇;胡培培;艾文思;翟鹏飞;赵培雄;李宗臻;刘杰
中国科学院近代物理研究所,兰州730000 中国科学院大学核科学与技术学院,北京100049中国科学院近代物理研究所,兰州730000中国科学院近代物理研究所,兰州730000 中国科学院大学核科学与技术学院,北京100049中国科学院近代物理研究所,兰州730000 中国科学院大学核科学与技术学院,北京100049中国科学院近代物理研究所,兰州730000中国科学院近代物理研究所,兰州730000中国科学院近代物理研究所,兰州730000 中国科学院大学核科学与技术学院,北京100049
信息技术与安全科学
宽禁带半导体功率器件SiCGaNGa_(2)O_(3)重离子辐照效应
《现代应用物理》 2022 (1)
P.90-104,15
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