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28nm MOSFET器件的单粒子效应

张龙涛 曹艳荣 任晨 马毛旦 吕航航 吕玲 郑雪峰 马晓华

现代应用物理2022，Vol.13Issue(1)：P.116-124,9.
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现代应用物理2022，Vol.13Issue(1)：P.116-124,9.DOI:10.12061/j.issn.20956223.2022.010606

28nm MOSFET器件的单粒子效应

张龙涛 1曹艳荣 1任晨 1马毛旦 1吕航航 1吕玲 2郑雪峰 2马晓华2

作者信息

  • 1. 西安电子科技大学机电工程学院,西安710071 宽禁带半导体技术国家重点学科实验室,西安710071
  • 2. 宽禁带半导体技术国家重点学科实验室,西安710071
  • 折叠

摘要

关键词

MOSFET/单粒子效应/TCAD仿真/瞬态电流/双极放大增益

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

张龙涛,曹艳荣,任晨,马毛旦,吕航航,吕玲,郑雪峰,马晓华..28nm MOSFET器件的单粒子效应[J].现代应用物理,2022,13(1):P.116-124,9.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(11690042,U1866212,12035019,61727804,11690040)。 （11690042,U1866212,12035019,61727804,11690040）

现代应用物理

OACSTPCD

2095-6223

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