现代应用物理2022，Vol.13Issue(1)：P.135-142,171,9.
一种28nm工艺下抗单粒子翻转SRAM的12T存储单元设计
摘要
关键词
SRAM/存储单元/单粒子翻转/多节点翻转/临界电荷分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
韩源源,程旭,韩军,曾晓洋..一种28nm工艺下抗单粒子翻转SRAM的12T存储单元设计[J].现代应用物理,2022,13(1):P.135-142,171,9.基金项目
国家自然科学基金资助项目(61525401,11690045,11690040,61574041) （61525401,11690045,11690040,61574041）
国家科技重大专项资助项目(2018ZX01029-101) （2018ZX01029-101）
上海市学术/技术研究带头人基金资助项目(16XD1400300) （16XD1400300）
上海市教委重大科技创新基金资助项目(2017-01-07-00-07-E00026) （2017-01-07-00-07-E00026）
强脉冲辐射模拟与效应国家重点实验室基金资助项目(SKLIPR1614)。 （SKLIPR1614）
