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纳米MOS器件场氧化层和栅氧化层电离总剂量效应仿真

任晨 曹艳荣 张龙涛 吕航航 马毛旦 吕玲 郑雪峰

现代应用物理2022，Vol.13Issue(1)：P.172-179,8.
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现代应用物理2022，Vol.13Issue(1)：P.172-179,8.DOI:10.12061/j.issn.20956223.2022.010614

纳米MOS器件场氧化层和栅氧化层电离总剂量效应仿真

任晨 1曹艳荣 1张龙涛 1吕航航 1马毛旦 1吕玲 1郑雪峰1

作者信息

  • 1. 西安电子科技大学机电工程学院,宽禁带半导体技术国家重点学科实验室,西安710071
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摘要

关键词

TCAD仿真/NMOSFET/总剂量效应/氧化层

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

任晨,曹艳荣,张龙涛,吕航航,马毛旦,吕玲,郑雪峰..纳米MOS器件场氧化层和栅氧化层电离总剂量效应仿真[J].现代应用物理,2022,13(1):P.172-179,8.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(11690042,U1866212,12035019,61727804,11690040),北京智芯微电子技术有限公司实验室开放基金,科学挑战计划资助项目(TZ2018004)。 （11690042,U1866212,12035019,61727804,11690040）

现代应用物理

OACSTPCD

2095-6223

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