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SiC MOSFET短路保护技术综述

文阳 杨媛 宁红英 张瑜 高勇

电工技术学报2022,Vol.37Issue(10):P.2538-2548,11.
电工技术学报2022,Vol.37Issue(10):P.2538-2548,11.DOI:10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.211119

SiC MOSFET短路保护技术综述

文阳 1杨媛 1宁红英 1张瑜 2高勇1

作者信息

  • 1. 西安理工大学自动化与信息工程学院,西安710048
  • 2. 西安思源学院工学院,西安710038
  • 折叠

摘要

关键词

SiC MOSFET/短路测试/短路失效/短路保护

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

文阳,杨媛,宁红英,张瑜,高勇..SiC MOSFET短路保护技术综述[J].电工技术学报,2022,37(10):P.2538-2548,11.

基金项目

国家自然基金项目(62174134) (62174134)

陕西省教育厅专项科学研究计划项目(21JK0791) (21JK0791)

陕西省创新能力支撑计划项目(2021TD-25)资助。 (2021TD-25)

电工技术学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-6753

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