人工晶体学报2022，Vol.51Issue(4)：P.666-672,7.
掺锗提高VO_(2)薄膜的相变温度机理研究
崔景贺 1蒋权伟 1高忙忙 1梁森1
作者信息
- 1. 宁夏大学材料与新能源学院,宁夏光伏材料重点实验室,银川750021
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摘要
关键词
二氧化钒/薄膜/相变温度/二氧化锗/晶格畸变/电学性能/V-V二聚体分类
数理科学引用本文复制引用
崔景贺,蒋权伟,高忙忙,梁森..掺锗提高VO_(2)薄膜的相变温度机理研究[J].人工晶体学报,2022,51(4):P.666-672,7.基金项目
宁夏自然科学基金(2020AAC03005)。 （2020AAC03005）
