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氮化镓功率电子器件封装技术研究进展

冯家驹 范亚明 房丹 邓旭光 于国浩 魏志鹏 张宝顺

人工晶体学报2022，Vol.51Issue(4)：P.730-749,20.
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人工晶体学报2022，Vol.51Issue(4)：P.730-749,20.

氮化镓功率电子器件封装技术研究进展

冯家驹 1范亚明 2房丹 3邓旭光 4于国浩 4魏志鹏 3张宝顺4

作者信息

  • 1. 长春理工大学,高功率半导体激光国家重点实验室,物理学院,长春130022 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州215123
  • 2. 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州215123 江西省纳米技术研究院,纳米器件与工艺研究部暨南昌市先进封测重点实验室,南昌330200
  • 3. 长春理工大学,高功率半导体激光国家重点实验室,物理学院,长春130022
  • 4. 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州215123
  • 折叠

摘要

关键词

氮化镓/功率电子器件/封装技术/高电子迁移率晶体管/开关振荡/散热/金刚石

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

冯家驹,范亚明,房丹,邓旭光,于国浩,魏志鹏,张宝顺..氮化镓功率电子器件封装技术研究进展[J].人工晶体学报,2022,51(4):P.730-749,20.

基金项目

南昌市科技重大项目(洪科字[2020]201号) （洪科字[2020]201号）

南昌市重点实验室建设项目/南昌市半导体先进封测重点实验室(2020-NCZDSY-008)。 （2020-NCZDSY-008）

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

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