| 注册
首页|期刊导航|南京邮电大学学报:自然科学版|GaN HEMT E/F3类功率放大器温度可靠性研究

GaN HEMT E/F3类功率放大器温度可靠性研究

林倩 贾立宁 胡单辉 陈思维 刘林盛 刘畅 刘建利

南京邮电大学学报:自然科学版2022,Vol.42Issue(2):P.1-7,7.
南京邮电大学学报:自然科学版2022,Vol.42Issue(2):P.1-7,7.DOI:10.14132/j.cnki.1673-5439.2022.02.005

GaN HEMT E/F3类功率放大器温度可靠性研究

林倩 1贾立宁 1胡单辉 1陈思维 1刘林盛 2刘畅 3刘建利4

作者信息

  • 1. 青海民族大学物理与电子信息工程学院,青海西宁810007
  • 2. 成都理工大学计算机与网络安全学院,四川成都610000
  • 3. 天津大学微电子学院,天津300072
  • 4. 中兴通讯股份有限公司,陕西西安710000
  • 折叠

摘要

关键词

GaN HEMT/E/F3类/温度可靠性/可靠性测试

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

林倩,贾立宁,胡单辉,陈思维,刘林盛,刘畅,刘建利..GaN HEMT E/F3类功率放大器温度可靠性研究[J].南京邮电大学学报:自然科学版,2022,42(2):P.1-7,7.

基金项目

国家自然科学基金(62161046) (62161046)

2021年中科院西部之光青年学者项目和青海民族大学研究生创新项目(10M2021009)资助项目。 (10M2021009)

南京邮电大学学报:自然科学版

OA北大核心CSTPCD

1673-5439

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文