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基于GaN HEMT的L波段600 W内匹配功率管设计

王晓龙

现代信息科技2022,Vol.6Issue(1):P.52-55,4.
现代信息科技2022,Vol.6Issue(1):P.52-55,4.DOI:10.19850/j.cnki.2096-4706.2022.01.014

基于GaN HEMT的L波段600 W内匹配功率管设计

王晓龙1

作者信息

  • 1. 中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050051
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摘要

关键词

功率管/GaN/内匹配/L波段/大功率

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

王晓龙..基于GaN HEMT的L波段600 W内匹配功率管设计[J].现代信息科技,2022,6(1):P.52-55,4.

现代信息科技

2096-4706

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