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电场对GaN/g-C_(3)N_(4)异质结电子结构和光学性质影响的第一性原理研究

刘晨曦 庞国旺 潘多桥 史蕾倩 张丽丽 雷博程 赵旭才 黄以能

物理学报2022,Vol.71Issue(9):P.282-290,9.
物理学报2022,Vol.71Issue(9):P.282-290,9.DOI:10.7498/aps.71.20212261

电场对GaN/g-C_(3)N_(4)异质结电子结构和光学性质影响的第一性原理研究

刘晨曦 1庞国旺 1潘多桥 1史蕾倩 1张丽丽 1雷博程 1赵旭才 1黄以能2

作者信息

  • 1. 伊犁师范大学物理科学与技术学院,新疆凝聚态相变与微结构实验室,伊宁835000
  • 2. 伊犁师范大学物理科学与技术学院,新疆凝聚态相变与微结构实验室,伊宁835000 南京大学物理学院,固体微结构物理国家重点实验室,南京210093
  • 折叠

摘要

关键词

电子结构/光学性质/功函数/外电场

分类

数理科学

引用本文复制引用

刘晨曦,庞国旺,潘多桥,史蕾倩,张丽丽,雷博程,赵旭才,黄以能..电场对GaN/g-C_(3)N_(4)异质结电子结构和光学性质影响的第一性原理研究[J].物理学报,2022,71(9):P.282-290,9.

基金项目

新疆维吾尔自治区重点实验室开放课题(批准号:2021D04015) (批准号:2021D04015)

新疆维吾尔自治区高校科技计划(批准号:XJEDU2021Y044) (批准号:XJEDU2021Y044)

伊犁师范大学博士启动基金(批准号:2021YSBS009) (批准号:2021YSBS009)

新疆维吾尔自治区研究生创新项目(批准号:XJ2021G323)资助的课题。 (批准号:XJ2021G323)

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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