|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|物理学报|PECVD法制备高结晶GaN薄膜及其光电响应性能

PECVD法制备高结晶GaN薄膜及其光电响应性能

梁琦 杨孟骐 张京阳 王如志

物理学报2022，Vol.71Issue(9)：P.291-301,11.
✕
物理学报2022，Vol.71Issue(9)：P.291-301,11.DOI:10.7498/aps.71.20211922

PECVD法制备高结晶GaN薄膜及其光电响应性能

梁琦 1杨孟骐 1张京阳 1王如志1

作者信息

  • 1. 北京工业大学材料与制造学部,新能源材料与技术研究所,新型功能材料教育部重点实验室,北京100124
  • 折叠

摘要

关键词

GaN薄膜/等离子增强化学气相沉积法/结晶质量/光响应度/光响应机理

分类

通用工业技术

引用本文复制引用

梁琦,杨孟骐,张京阳,王如志..PECVD法制备高结晶GaN薄膜及其光电响应性能[J].物理学报,2022,71(9):P.291-301,11.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:11774017)资助的课题。 （批准号:11774017）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文