多通道SiC固态功率控制器热仿真及设计优化OA
Thermal Simulation and Design Optimization of Multi- Channel SiC Solid-State Power Controller
随着SiC MOSFET的发展,以该器件作为核心部分的多通道SiC固态功率控制器逐渐应用于高功率密度领域.由于其温升和极端环境温度更高,所以对产品的热管理需求也随之提升.因此,准确评估产品内部热分布是实现高性能多通道固态功率控制器设计的前提.以额定电压270 V,额定电流240 A的12路固态功率控制器为对象,分析其热失效机理,建立简化有限元模型.分别对120 A、180 A降额工作情况进行稳态与瞬态的热仿真及验证.对240 A满载工作情况进行热…查看全部>>
赖耀康;王浩南;曹玉峰;王梓丞;叶雪荣;翟国富
北京市科通电子继电器总厂有限公司,北京 100176哈尔滨工业大学 电器与电子可靠性研究所,黑龙江 哈尔滨 150001北京市科通电子继电器总厂有限公司,北京 100176哈尔滨工业大学 电器与电子可靠性研究所,黑龙江 哈尔滨 150001哈尔滨工业大学 电器与电子可靠性研究所,黑龙江 哈尔滨 150001哈尔滨工业大学 电器与电子可靠性研究所,黑龙江 哈尔滨 150001
信息技术与安全科学
SiC固态功率控制器热失效机理热仿真设计优化
《电器与能效管理技术》 2022 (2)
42-45,94,5
装备发展部预研项目(31512040201-3).
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