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电子阻挡层Al组分对GaN基蓝光激光二极管光电性能的影响

杜小娟 刘晶 董海亮 贾志刚 张爱琴 梁建 许并社

发光学报2022，Vol.43Issue(5)：773-785,13.
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发光学报2022，Vol.43Issue(5)：773-785,13.DOI:10.37188/CJL.20220016

电子阻挡层Al组分对GaN基蓝光激光二极管光电性能的影响

Effect of Al Composition of Electron Blocking Layer on Photoelectric Performance of GaN-based Blue Laser Diode

杜小娟 1刘晶 2董海亮 3贾志刚 3张爱琴 4梁建 1许并社3

作者信息

  • 1. 太原理工大学 材料科学与工程学院, 山西 太原 030024
  • 2. 航天科工防御技术研究试验中心, 北京 100854
  • 3. 太原理工大学 新材料界面科学与工程教育部重点实验室, 山西 太原 030024
  • 4. 太原理工大学 轻纺工程学院, 山西 太原 030024
  • 折叠

摘要

关键词

GaN基蓝光激光二极管/电子阻挡层/Al组分/光电性能

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

杜小娟,刘晶,董海亮,贾志刚,张爱琴,梁建,许并社..电子阻挡层Al组分对GaN基蓝光激光二极管光电性能的影响[J].发光学报,2022,43(5):773-785,13.

基金项目

国家自然科学基金(61904120,21972103) （61904120,21972103）

国家重点研发计划(2016YFB0401803) （2016YFB0401803）

山西省基础研究项目(201901D111111)资助 （201901D111111）

发光学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-7032

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