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低温808nm高效率半导体激光器

吴顺华 刘国军 王贞福 李特

发光学报2022,Vol.43Issue(5):786-795,10.
发光学报2022,Vol.43Issue(5):786-795,10.DOI:10.37188/CJL.20220025

低温808nm高效率半导体激光器

Low Temperature 808 nm High Efficiency Semiconductor Laser

吴顺华 1刘国军 2王贞福 2李特3

作者信息

  • 1. 长春理工大学 光电工程学院, 吉林 长春 130022
  • 2. 长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室, 吉林 长春 130022
  • 3. 海南师范大学物理与电子工程学院 海南省激光技术与光电功能材料重点实验室, 海南 海口 571158
  • 折叠

摘要

关键词

半导体激光器/载流子泄漏/低温/高效率/温度效应

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

吴顺华,刘国军,王贞福,李特..低温808nm高效率半导体激光器[J].发光学报,2022,43(5):786-795,10.

基金项目

国家自然科学基金(61504167) (61504167)

陕西省自然科学基金(2019ZY-CXPT-03-05,2018JM6010,2015JQ6263) (2019ZY-CXPT-03-05,2018JM6010,2015JQ6263)

陕西省科技厅人才项目(2017KJXX-72) (2017KJXX-72)

长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室基金资助项目 ()

发光学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-7032

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