中国光学2022，Vol.15Issue(3)：426-432,7.DOI:10.37188/CO.2021-0200
Si杂质扩散诱导InGaAs/GaAs(P)量子阱混杂研究
InGaAs/GaAs(P) quantum well intermixing induced by Si impurity diffusion
王予晓 1朱凌妮 2仲莉 1孔金霞 1刘素平 3马骁宇1
作者信息
- 1. 中国科学院半导体研究所 光电子器件国家工程中心, 北京 100083
- 2. 中国科学院大学 电子电气与通信工程学院, 北京 100049
- 3. 中国科学院大学 材料科学与光电技术学院, 北京 100049
- 折叠
摘要
关键词
量子阱混杂/半导体激光器/腔面光学灾变损伤分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
王予晓,朱凌妮,仲莉,孔金霞,刘素平,马骁宇..Si杂质扩散诱导InGaAs/GaAs(P)量子阱混杂研究[J].中国光学,2022,15(3):426-432,7.
