电子科技大学学报2022，Vol.51Issue(3)：P.458-463,6.DOI:10.12178/1001-0548.2021245
基于65 nm体硅CMOS技术的DICE-DFF和TMR-DFF SEU辐射硬化方法分析
李海松 1杨博 1蒋轶虎 1高利军 1杨靓1
作者信息
摘要
关键词
翻转截面/触发器/双互锁触发器/单粒子翻转/三模冗余分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
李海松,杨博,蒋轶虎,高利军,杨靓..基于65 nm体硅CMOS技术的DICE-DFF和TMR-DFF SEU辐射硬化方法分析[J].电子科技大学学报,2022,51(3):P.458-463,6.
