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GJB151B CS115的电路仿真分析(二)——标准应用分析

崔志同陈伟董亚运聂鑫吴伟刘政

强激光与粒子束2022，Vol.34Issue(6)：35-40,6.

强激光与粒子束2022，Vol.34Issue(6)：35-40,6.DOI:10.11884/HPLPB202234.210499

Circuit simulation of GJB151B CS115 part П: The analysis of application

崔志同 ¹陈伟 ¹董亚运 ¹聂鑫 ¹吴伟 ¹刘政¹

作者信息

电磁脉冲/CS115/脉冲电流注入/感性耦合/电路仿真

信息技术与安全科学

崔志同,陈伟,董亚运,聂鑫,吴伟,刘政..GJB151B CS115的电路仿真分析(二)——标准应用分析[J].强激光与粒子束,2022,34(6):35-40,6.

强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室基金项目(SKLIPR1901) （SKLIPR1901）

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1001-4322

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