|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|物理学报|单层二硫化钼的制备及在器件应用方面的研究

单层二硫化钼的制备及在器件应用方面的研究

李璐 张养坤 时东霞 张广宇

物理学报2022，Vol.71Issue(10)：45-70,26.
✕
物理学报2022，Vol.71Issue(10)：45-70,26.DOI:10.7498/aps.71.20212447

单层二硫化钼的制备及在器件应用方面的研究

Cotrollable growth of monolayer MoS2 films and their applications in devices

李璐 1张养坤 2时东霞 3张广宇1

作者信息

  • 1. 中国科学院物理研究所, 北京凝聚态物理国家研究中心, 中国科学院纳米物理与器件重点实验室, 北京 100190
  • 2. 中国科学院大学物理科学学院, 北京 100049
  • 3. 纳米材料与器件物理北京市重点实验室, 北京 100190
  • 折叠

摘要

关键词

单层MoS2/化学气相沉积/生长调控/场效应晶体管

引用本文复制引用

李璐,张养坤,时东霞,张广宇..单层二硫化钼的制备及在器件应用方面的研究[J].物理学报,2022,71(10):45-70,26.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:61734001,61888102,11834017)和中国科学院战略性先导科技专项(B类)(批准号:XDB30000000)资助的课题. （批准号:61734001,61888102,11834017）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文