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具有阻挡层的H等离子体处理增强型p-GaN栅AlGaN/GaN HEMT研究

黄兴杰 邢艳辉 于国浩 宋亮 黄荣 黄增立 韩军 张宝顺 范亚明

物理学报2022，Vol.71Issue(10)：426-432,7.
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物理学报2022，Vol.71Issue(10)：426-432,7.DOI:10.7498/aps.71.20212192

具有阻挡层的H等离子体处理增强型p-GaN栅AlGaN/GaN HEMT研究

Study on H plasma treatment enhanced p-GaN gate AlGaN/GaN HEMT with block layer

黄兴杰 1邢艳辉 1于国浩 2宋亮 2黄荣 2黄增立 2韩军 1张宝顺 2范亚明2

作者信息

  • 1. 北京工业大学信息学部, 光电子技术教育部重点实验室, 北京 100124
  • 2. 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 纳米器件与应用重点实验室, 苏州 215123
  • 折叠

摘要

关键词

p-GaN栅AlGaN/GaN HEMT/H等离子体处理/Al2O3薄膜/栅极反向泄漏电流

引用本文复制引用

黄兴杰,邢艳辉,于国浩,宋亮,黄荣,黄增立,韩军,张宝顺,范亚明..具有阻挡层的H等离子体处理增强型p-GaN栅AlGaN/GaN HEMT研究[J].物理学报,2022,71(10):426-432,7.

基金项目

中国科学院青年创新促进会(批准号:2020321)、国家自然科学基金(批准号:61904192,61731019,61575008,61775007)和北京市自然科学基金(批准号:4202010,4172011)资助的课题. （批准号:2020321）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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