原子与分子物理学报2022，Vol.39Issue(5)：113-118,6.DOI:10.19855/j.1000-0364.2022.053002
后退火时间对磁控溅射制备β-Ga2O3薄膜材料的影响
Effect of post-annealing time on β-Ga2O3 thin film prepared by magnetron sputtering
摘要
关键词
β-Ga2O3薄膜/射频磁控溅射/退火时间/衍射峰强度/光学特性分类
化学化工引用本文复制引用
杨赉,高灿灿,杨发顺,马奎..后退火时间对磁控溅射制备β-Ga2O3薄膜材料的影响[J].原子与分子物理学报,2022,39(5):113-118,6.基金项目
国家自然科学基金(61664004) （61664004）
半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心开放基金(ERCME-KFJJ2019-(01)) （ERCME-KFJJ2019-(01）
