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基于SiON/Al2O3叠层介质的薄势垒型HEMT栅极相关可靠性研究

孙仲豪 代建勋 孙楠 王荣华 黄火林

中国电机工程学报2022，Vol.42Issue(11)：4170-4176,中插25,8.
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中国电机工程学报2022，Vol.42Issue(11)：4170-4176,中插25,8.DOI:10.13334/j.0258-8013.pcsee.211124

基于SiON/Al2O3叠层介质的薄势垒型HEMT栅极相关可靠性研究

Study on Gate Related Reliability of Thin-barrier HEMT Based on SiON/Al2O3 Stack Dielectrics

孙仲豪 1代建勋 1孙楠 1王荣华 2黄火林1

作者信息

  • 1. 大连理工大学光电工程与仪器科学学院,辽宁省 大连市 116024
  • 2. 大连芯冠科技有限公司,辽宁省 大连市 116024
  • 折叠

摘要

关键词

电力电子器件/氮化镓/常关型操作/栅极可靠性

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

孙仲豪,代建勋,孙楠,王荣华,黄火林..基于SiON/Al2O3叠层介质的薄势垒型HEMT栅极相关可靠性研究[J].中国电机工程学报,2022,42(11):4170-4176,中插25,8.

基金项目

国家自然科学基金项目(61971090,62101093) （61971090,62101093）

国家引导地方科技发展专项资金(2021JH6/10500145). （2021JH6/10500145）

中国电机工程学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

0258-8013

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