电器与能效管理技术Issue(4)：6-11,6.DOI:10.16628/j.cnki.2095-8188.2022.04.002
基于图形化修正的SiC MOSFET等效建模方法
Equivalent Modeling Method of SiC MOSFET Based on Graphical Modification
王梓丞 1赖耀康 2王浩南 1曹玉峰 2叶雪荣 1翟国富1
作者信息
- 1. 哈尔滨工业大学电器与电子可靠性研究所,黑龙江 哈尔滨 150001
- 2. 北京科通电子继电器有限公司设计中心,北京 100176
- 折叠
摘要
关键词
SiC MOSFET/建模/图形化修正/仿真/曲线拟合分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
王梓丞,赖耀康,王浩南,曹玉峰,叶雪荣,翟国富..基于图形化修正的SiC MOSFET等效建模方法[J].电器与能效管理技术,2022,(4):6-11,6.
