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纳秒脉冲激光制备硅量子点发光的退火效应

陈翠芬 彭鸿雁 张铁民 王梓霖 高连丛 苏畅 王可 王安琛 黄忠梅 黄伟其

液晶与显示2022,Vol.37Issue(6):703-708,6.
液晶与显示2022,Vol.37Issue(6):703-708,6.DOI:10.37188/CJLCD.2022-0078

纳秒脉冲激光制备硅量子点发光的退火效应

Annealing effect on photoluminescence in silicon quantum dots prepared by nanosecond pulsed laser

陈翠芬 1彭鸿雁 1张铁民 1王梓霖 1高连丛 1苏畅 1王可 1王安琛 2黄忠梅 2黄伟其1

作者信息

  • 1. 海南师范大学物理与电子工程学院,海南海口 571158
  • 2. 贵州大学材料与冶金学院,贵州贵阳550025
  • 折叠

摘要

关键词

硅量子点/光致发光/高温退火/外量子效率

分类

数理科学

引用本文复制引用

陈翠芬,彭鸿雁,张铁民,王梓霖,高连丛,苏畅,王可,王安琛,黄忠梅,黄伟其..纳秒脉冲激光制备硅量子点发光的退火效应[J].液晶与显示,2022,37(6):703-708,6.

基金项目

国家自然科学基金(No.11847084) (No.11847084)

海南省高等学校教育教学改革研究重点项目(No.Hn jg2020ZD-17) (No.Hn jg2020ZD-17)

液晶与显示

OA北大核心CSCDCSTPCD

1007-2780

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