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C-Mg掺杂GaN电子结构和光学性质的第一性原理研究

刘丽芝 雷博程 赵旭才 黄以能 史蕾倩 王晓东 马磊 刘纪博 庞国旺 刘晨曦 潘多桥 张丽丽

原子与分子物理学报2022,Vol.39Issue(6):131-137,7.
原子与分子物理学报2022,Vol.39Issue(6):131-137,7.DOI:10.19855/j.1000-0364.2022.066001

C-Mg掺杂GaN电子结构和光学性质的第一性原理研究

First principle study on electronic structure and optical properties of C-Mg doped GaN

刘丽芝 1雷博程 1赵旭才 1黄以能 1史蕾倩 2王晓东 1马磊 1刘纪博 1庞国旺 1刘晨曦 1潘多桥 1张丽丽1

作者信息

  • 1. 伊犁师范大学 物理科学与技术学院 新疆凝聚态相变与微结构实验室,伊宁835000
  • 2. 南京大学 物理学院 固体微结构物理国家重点实验室,南京210093
  • 折叠

摘要

关键词

GaN/第一性原理/电子结构/光学性质

分类

数理科学

引用本文复制引用

刘丽芝,雷博程,赵旭才,黄以能,史蕾倩,王晓东,马磊,刘纪博,庞国旺,刘晨曦,潘多桥,张丽丽..C-Mg掺杂GaN电子结构和光学性质的第一性原理研究[J].原子与分子物理学报,2022,39(6):131-137,7.

基金项目

新疆维吾尔自治区重点实验室开放课题(2021D04015) (2021D04015)

新疆维吾尔自治区高校科技计划项目(XJEDU2021Y044) (XJEDU2021Y044)

伊犁师范大学博士启动基金(2021YSBS008) (2021YSBS008)

原子与分子物理学报

OA北大核心

1000-0364

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