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质子辐照作用下浮栅单元的数据翻转及错误退火

刘晔 郭红霞 琚安安 张凤祁 潘霄宇 张鸿 顾朝桥 柳奕天 冯亚辉

物理学报2022,Vol.71Issue(11):383-389,7.
物理学报2022,Vol.71Issue(11):383-389,7.DOI:10.7498/aps.71.20212405

质子辐照作用下浮栅单元的数据翻转及错误退火

Data inversion and erroneous annealing of floating gate cell under proton radiation

刘晔 1郭红霞 2琚安安 1张凤祁 2潘霄宇 2张鸿 1顾朝桥 1柳奕天 1冯亚辉1

作者信息

  • 1. 湘潭大学材料科学与学院, 湘潭 411105
  • 2. 西北核技术研究所, 西安 710024
  • 折叠

摘要

关键词

flash存储器/质子辐照/单粒子翻转/多陷阱辅助导电通道

引用本文复制引用

刘晔,郭红霞,琚安安,张凤祁,潘霄宇,张鸿,顾朝桥,柳奕天,冯亚辉..质子辐照作用下浮栅单元的数据翻转及错误退火[J].物理学报,2022,71(11):383-389,7.

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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