红外技术2022，Vol.44Issue(6)：560-564,5.
Cd1-xZnxTe晶体中由本征缺陷引起的导电类型转变界面研究
Position-Dependent Conductivity Transition by Intrinsic Defects in Cd1-xZnxTe Crystal
赵文 1李俊 1贺政 1姬荣斌 1孔金丞 1姜军 1赵增林 1陈少璠 1宋林伟 1俞见云 1陈珊 1庹梦寒1
作者信息
- 1. 昆明物理研究所,云南 昆明 650223
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摘要
关键词
碲锌镉/导电类型转变/Cd空位/扩散分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
赵文,李俊,贺政,姬荣斌,孔金丞,姜军,赵增林,陈少璠,宋林伟,俞见云,陈珊,庹梦寒..Cd1-xZnxTe晶体中由本征缺陷引起的导电类型转变界面研究[J].红外技术,2022,44(6):560-564,5.
