西安电子科技大学学报2022，Vol.49Issue(3)：P.206-212,7.DOI:10.19665/j.issn1001-2400.2022.03.023
氮钝化对SiC MOS电容栅介质可靠性的影响
摘要
关键词
碳化硅/MOS电容/界面态/退火/栅介质分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
白志强,张艺蒙,汤晓燕,宋庆文,张玉明,戴小平,高秀秀,齐放..氮钝化对SiC MOS电容栅介质可靠性的影响[J].西安电子科技大学学报,2022,49(3):P.206-212,7.基金项目
“功率半导体国家制造业创新中心建设”项目(2018XK2202) （2018XK2202）
科学挑战专题项目(TZ2018003) （TZ2018003）
陕西省重点研发项目(2018ZDL-GY01-03,2020ZDLGY03-07,2019GY-004) （2018ZDL-GY01-03,2020ZDLGY03-07,2019GY-004）
芜湖-西电产学研专项资金(XWYCXY-012020002)。 （XWYCXY-012020002）
