DSOI总剂量效应模型及背偏调控模型

王海洋郑齐文崔江维李小龙李豫东李博郭旗

太赫兹科学与电子信息学报2022，Vol.20Issue(6)：P.549-556,8.

太赫兹科学与电子信息学报2022，Vol.20Issue(6)：P.549-556,8.DOI:10.11805/TKYDA2021418

王海洋 ¹郑齐文 ²崔江维 ²李小龙 ²李豫东 ²李博 ³郭旗²

作者信息

1. 中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,新疆乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室,新疆乌鲁木齐830011 中国科学院大学,北京100049
2. 中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,新疆乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室,新疆乌鲁木齐830011
3. 中国科学院微电子研究所,北京100029
折叠

双埋氧层绝缘体上硅/总剂量辐照/背偏调控/模型

信息技术与安全科学

王海洋,郑齐文,崔江维,李小龙,李豫东,李博,郭旗..DSOI总剂量效应模型及背偏调控模型[J].太赫兹科学与电子信息学报,2022,20(6):P.549-556,8.

国家自然科学基金资助项目(12075313) （12075313）

新疆维吾尔自治区自然科学基金资助项目(2021D01E06) （2021D01E06）

中科院西部之光资助项目(2018-XBQNXZ-B-003) （2018-XBQNXZ-B-003）

中国科学院青年创新促进会资助项目(2020430,2018473)。（2020430,2018473）

OACSTPCD

ISSN：2095-4980

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