氮化镓基白光发光二极管的快中子辐照效应OA
对注入量为1×10^(14) cm^(-2)的快中子(1.2 MeV)对氮化镓(GaN)基白光发光二极管(LED)器件的辐照效应进行研究。通过测量和分析器件的电致发光谱(EL)、光功率-电流(L-I)和电流-电压(I-U)特性,发现器件辐照后光功率降低,而EL谱形状几乎没有变化,表明该注入量的中子辐照主要对器件中的蓝光LED芯片造成了损伤。进一步分析发现,中子辐照导致蓝光LED量子阱中产生大量非辐射复合中心,增加了漏电流并减小了量子阱中载流子密度…查看全部>>
魏彪;傅翔;汤戈;陈飞良;李沫
重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室,重庆400044重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室,重庆400044成都理工大学核技术与自动化工程学院,四川成都610059电子科技大学电子科学与工程学院,四川成都610054电子科技大学电子科学与工程学院,四川成都610054
信息技术与安全科学
中子辐照氮化镓发光二极管缺陷
《太赫兹科学与电子信息学报》 2022 (6)
P.543-548,6
评论