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Ag电化学迁移引发肖特基二极管烧毁的失效机理分析

徐晟 王宏芹 牛峥 李洁森 甘卿忠

电子器件2022，Vol.45Issue(2)：272-276,5.
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电子器件2022，Vol.45Issue(2)：272-276,5.DOI:10.3969/j.issn.1005-9490.2022.02.005

Ag电化学迁移引发肖特基二极管烧毁的失效机理分析

Failure Mechanism Analysis of Schottky Diode Burn Down Caused by Ag Electrochemical Migration

徐晟 1王宏芹 2牛峥 1李洁森 2甘卿忠1

作者信息

  • 1. 中国南方电网有限责任公司超高压输电公司广州局,广东 广州510663
  • 2. 工业和信息化部电子第五研究所,广东 广州510610
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摘要

关键词

电化学迁移/肖特基二极管/失效分析/芯片/Ag枝晶

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

徐晟,王宏芹,牛峥,李洁森,甘卿忠..Ag电化学迁移引发肖特基二极管烧毁的失效机理分析[J].电子器件,2022,45(2):272-276,5.

基金项目

湿热运行环境下二次元件状态感知策略研究项目(CGYKJXM20190090) （CGYKJXM20190090）

电子器件

OA北大核心CSTPCD

1005-9490

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