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碳化硅衬底上外延双层石墨烯的电输运性质

胡聚罡 贾振宇 李绍春

物理学报2022，Vol.71Issue(12)：204-210,7.
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物理学报2022，Vol.71Issue(12)：204-210,7.DOI:10.7498/aps.71.20220062

碳化硅衬底上外延双层石墨烯的电输运性质

Electron transport property of epitaixial bilayer graphene on SiC substrate

胡聚罡 1贾振宇 2李绍春1

作者信息

  • 1. 南京大学物理学院, 固体微结构物理国家重点实验室, 南京 210093
  • 2. 南京大学人工微结构科学与技术协同创新中心, 南京 210093
  • 折叠

摘要

关键词

外延双层石墨烯/磁电阻/负磁阻/扫描隧道显微镜

引用本文复制引用

胡聚罡,贾振宇,李绍春..碳化硅衬底上外延双层石墨烯的电输运性质[J].物理学报,2022,71(12):204-210,7.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:11774149,11790311,92165205)和国家重点研发计划(批准号:2021YFA1400403)资助的课题. （批准号:11774149,11790311,92165205）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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