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多芯片并联IGBT模块老化特征参量甄选研究

丁雪妮 陈民铀 赖伟 罗丹 魏云海

电工技术学报2022,Vol.37Issue(13):3304-3316,3340,14.
电工技术学报2022,Vol.37Issue(13):3304-3316,3340,14.DOI:10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.210792

多芯片并联IGBT模块老化特征参量甄选研究

Selection of Aging Characteristic Parameter for Multi-Chips Parallel IGBT Module

丁雪妮 1陈民铀 1赖伟 1罗丹 1魏云海1

作者信息

  • 1. 输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室(重庆大学) 重庆 400044
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摘要

关键词

多芯片并联IGBT/磁感应强度/老化特征参量/状态监测

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

丁雪妮,陈民铀,赖伟,罗丹,魏云海..多芯片并联IGBT模块老化特征参量甄选研究[J].电工技术学报,2022,37(13):3304-3316,3340,14.

基金项目

国家重点研发计划(2018YFB0905800)、中央高校基本科研业务费(2020CDJQY-A026)和国家自然科学基金(51707024)资助项目. (2018YFB0905800)

电工技术学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-6753

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