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平面应变对二维单层MoSi_(2)N_(4)能带结构和光电性质的影响

袁罡 马新国 贺华 邓水全 段汪洋 程正旺 邹维

无机材料学报2022，Vol.37Issue(5)：P.527-533,7.
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无机材料学报2022，Vol.37Issue(5)：P.527-533,7.DOI:10.15541/jim20210317

平面应变对二维单层MoSi_(2)N_(4)能带结构和光电性质的影响

袁罡 1马新国 2贺华 3邓水全 4段汪洋 1程正旺 1邹维1

作者信息

  • 1. 湖北工业大学理学院,武汉430068
  • 2. 湖北工业大学理学院,武汉430068 湖北省能源光电器件与系统工程技术研究中心,武汉430068
  • 3. 湖北省能源光电器件与系统工程技术研究中心,武汉430068
  • 4. 中国科学院福建物质结构研究所结构化学国家重点实验室,福州350002
  • 折叠

摘要

关键词

二维材料/平面应变/光电性质/第一性原理/能带结构

分类

数理科学

引用本文复制引用

袁罡,马新国,贺华,邓水全,段汪洋,程正旺,邹维..平面应变对二维单层MoSi_(2)N_(4)能带结构和光电性质的影响[J].无机材料学报,2022,37(5):P.527-533,7.

基金项目

结构化学国家重点实验室科学基金(20210028) （20210028）

国家自然科学基金重点项目(51472081)。 （51472081）

无机材料学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-324X

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