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晶体多线切割工艺中晶片粗糙度的控制研究

陈飞宏 李国芳 普世坤 刘汉保 柳廷龙 马冬生 唐开华

云南化工2022,Vol.49Issue(7):P.38-40,3.
云南化工2022,Vol.49Issue(7):P.38-40,3.DOI:10.3969/j.issn.1004-275X.2022.07.11

晶体多线切割工艺中晶片粗糙度的控制研究

陈飞宏 1李国芳 2普世坤 2刘汉保 1柳廷龙 3马冬生 1唐开华1

作者信息

  • 1. 云南鑫耀半导体材料有限公司,云南昆明650503
  • 2. 云南鑫耀半导体材料有限公司,云南昆明650503 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司,云南临沧677000
  • 3. 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司,云南临沧677000
  • 折叠

摘要

关键词

砷化镓/多线切割/粗糙度

分类

化学化工

引用本文复制引用

陈飞宏,李国芳,普世坤,刘汉保,柳廷龙,马冬生,唐开华..晶体多线切割工艺中晶片粗糙度的控制研究[J].云南化工,2022,49(7):P.38-40,3.

云南化工

1004-275X

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