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基于多谐波失真的GaN HEMT管芯非线性行为模型研究

黄丹钟世昌徐祖银成爱强王帅

无线电工程2022，Vol.52Issue(8)：P.1490-1495,6.

无线电工程2022，Vol.52Issue(8)：P.1490-1495,6.DOI:10.3969/j.issn.1003-3106.2022.08.026

黄丹 ¹钟世昌 ¹徐祖银 ¹成爱强 ¹王帅¹

作者信息

非线性行为模型/GaN高电子迁移率晶体管/多谐波失真/有源负载牵引

信息技术与安全科学

黄丹,钟世昌,徐祖银,成爱强,王帅..基于多谐波失真的GaN HEMT管芯非线性行为模型研究[J].无线电工程,2022,52(8):P.1490-1495,6.

国家部委基金资助项目。（）

OA北大核心

ISSN：1003-3106

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