| 注册
首页|期刊导航|现代应用物理|Xe离子辐照导致InGaN薄膜化学组分与表面形貌的变化

Xe离子辐照导致InGaN薄膜化学组分与表面形貌的变化

刘宁 张利民 李治明 刘雪婷 彭金鑫 张硕 王铁山 郭红霞

现代应用物理2022,Vol.13Issue(2):P.121-128,8.
现代应用物理2022,Vol.13Issue(2):P.121-128,8.DOI:10.12061/j.issn.20956223.2022.020602

Xe离子辐照导致InGaN薄膜化学组分与表面形貌的变化

刘宁 1张利民 1李治明 1刘雪婷 1彭金鑫 1张硕 1王铁山 1郭红霞2

作者信息

  • 1. 兰州大学核科学与技术学院,兰州730000
  • 2. 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室,西安710024
  • 折叠

摘要

关键词

InGaN/重离子辐照/化学组分/表面形貌

分类

能源科技

引用本文复制引用

刘宁,张利民,李治明,刘雪婷,彭金鑫,张硕,王铁山,郭红霞..Xe离子辐照导致InGaN薄膜化学组分与表面形貌的变化[J].现代应用物理,2022,13(2):P.121-128,8.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(11875154,11305081) (11875154,11305081)

强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室基金资助项目(SKLIPR2014)。 (SKLIPR2014)

现代应用物理

OACSTPCD

2095-6223

访问量7
|
下载量0
段落导航相关论文