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HfO_(2)/SiO_(2)-Si型MOS器件陷阱电荷的γ辐照效应及退火效应

姜文翔 张修瑜 王佳良 崔博 孟宪福 于晓飞 李嫚 石建敏 薛建明 王新炜

现代应用物理2022，Vol.13Issue(2)：P.129-136,8.
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现代应用物理2022，Vol.13Issue(2)：P.129-136,8.DOI:10.12061/j.issn.20956223.2022.020603

HfO_(2)/SiO_(2)-Si型MOS器件陷阱电荷的γ辐照效应及退火效应

姜文翔 1张修瑜 2王佳良 3崔博 1孟宪福 1于晓飞 1李嫚 2石建敏 1薛建明 2王新炜3

作者信息

  • 1. 中国工程物理研究院核物理与化学研究所,四川绵阳621900
  • 2. 北京大学物理学院,北京100871
  • 3. 北京大学深圳研究生院新材料学院,广东深圳518055
  • 折叠

摘要

关键词

辐照效应/退火效应/MOS器件/氧化层陷阱电荷/界面陷阱电荷

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

姜文翔,张修瑜,王佳良,崔博,孟宪福,于晓飞,李嫚,石建敏,薛建明,王新炜..HfO_(2)/SiO_(2)-Si型MOS器件陷阱电荷的γ辐照效应及退火效应[J].现代应用物理,2022,13(2):P.129-136,8.

基金项目

科学挑战计划资助项目(TZ-2018004)。 （TZ-2018004）

现代应用物理

OACSTPCD

2095-6223

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