人工晶体学报2022，Vol.51Issue(6)：P.1003-1011,9.
无位错Te-GaSb(100)单晶抛光衬底的晶格完整性
冯银红 1沈桂英 2赵有文 3刘京明 4杨俊 4谢辉 4何建军 5王国伟6
作者信息
- 1. 中国科学院半导体研究所,低维半导体材料与器件北京市重点实验室,中国科学院半导体材料科学重点实验室,北京100083 中国科学院大学,北京100049
- 2. 中国科学院半导体研究所,低维半导体材料与器件北京市重点实验室,中国科学院半导体材料科学重点实验室,北京100083 如皋市化合物半导体产业研究所,如皋226500 江苏秦烯新材料有限公司,如皋226500
- 3. 中国科学院半导体研究所,低维半导体材料与器件北京市重点实验室,中国科学院半导体材料科学重点实验室,北京100083 如皋市化合物半导体产业研究所,如皋226500 江苏秦烯新材料有限公司,如皋226500 中国科学院大学材料科学与光电技术学院,北京100049
- 4. 中国科学院半导体研究所,低维半导体材料与器件北京市重点实验室,中国科学院半导体材料科学重点实验室,北京100083
- 5. 如皋市化合物半导体产业研究所,如皋226500 江苏秦烯新材料有限公司,如皋226500
- 6. 中国科学院半导体研究所,超晶格与微结构国家重点实验室,北京100083
- 折叠
摘要
关键词
GaSb/衬底/液封直拉法/晶格完整性/位错腐蚀坑密度/倒易空间图/亚表面损伤/化合物半导体分类
数理科学引用本文复制引用
冯银红,沈桂英,赵有文,刘京明,杨俊,谢辉,何建军,王国伟..无位错Te-GaSb(100)单晶抛光衬底的晶格完整性[J].人工晶体学报,2022,51(6):P.1003-1011,9.基金项目
国家自然科学基金(61904175) （61904175）
江苏省重点研发计划(BE2020033)。 （BE2020033）
