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砷化镓热氧化法制备β-Ga_(2)O_(3)体块薄膜

刁肇悌 陈威 董鑫 焦腾 李政达

发光学报2022,Vol.43Issue(7):P.1095-1101,7.
发光学报2022,Vol.43Issue(7):P.1095-1101,7.DOI:10.37188/CJL.20210399

砷化镓热氧化法制备β-Ga_(2)O_(3)体块薄膜

刁肇悌 1陈威 1董鑫 1焦腾 1李政达1

作者信息

  • 1. 吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室,吉林长春130012
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摘要

关键词

热氧化/纳米岛状体块薄膜/β-Ga_(2)O_(3)/氧气流量

分类

数理科学

引用本文复制引用

刁肇悌,陈威,董鑫,焦腾,李政达..砷化镓热氧化法制备β-Ga_(2)O_(3)体块薄膜[J].发光学报,2022,43(7):P.1095-1101,7.

基金项目

国家自然科学基金(61774072)资助项目。 (61774072)

发光学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-7032

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