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基于GaN微米阵列结构的单芯片白光LED有源区InGaN/GaN多量子阱结构设计

王永嘉杨旭李金钗黄凯康俊勇

发光学报2022，Vol.43Issue(7)：P.1130-1138,9.

发光学报2022，Vol.43Issue(7)：P.1130-1138,9.DOI:10.37188/CJL.20220115

王永嘉 ¹杨旭 ²李金钗 ²黄凯 ²康俊勇¹

作者信息

1. 厦门大学物理学系,微纳光电子材料与器件教育部工程研究中心,福建省半导体材料及应用重点实验室,半导体光电材料及其高效转换器件协同创新中心,福建厦门361005
2. 厦门大学物理学系,微纳光电子材料与器件教育部工程研究中心,福建省半导体材料及应用重点实验室,半导体光电材料及其高效转换器件协同创新中心,福建厦门361005 厦门市未来显示技术研究院嘉庚创新实验室,福建厦门361005
折叠

单芯片白光LED/半极性面/InGaN/极化效应

数理科学

王永嘉,杨旭,李金钗,黄凯,康俊勇..基于GaN微米阵列结构的单芯片白光LED有源区InGaN/GaN多量子阱结构设计[J].发光学报,2022,43(7):P.1130-1138,9.

国家重点研发计划(2021YFB3600101) （2021YFB3600101）

国家自然科学基金(61874090) （61874090）

福建省自然科学基金(2021J01008) （2021J01008）

厦门市重大科技项目(3502Z20191016)资助。（3502Z20191016）

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1000-7032

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