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AlGaN基深紫外LED的外延生长及光电性能研究

李路 徐俞 曹冰 徐科

人工晶体学报2022，Vol.51Issue(7)：1158-1162,5.
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人工晶体学报2022，Vol.51Issue(7)：1158-1162,5.

AlGaN基深紫外LED的外延生长及光电性能研究

Epitaxial Growth and Optoelectronic Properties of AlGaN-Based Deep-Ultraviolet LED

李路 1徐俞 2曹冰 3徐科1

作者信息

  • 1. 苏州大学光电科学与工程学院,苏州 215006
  • 2. 江苏省先进光学制造技术重点实验室和教育部现代光学技术重点实验室,苏州 215006
  • 3. 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州 215123
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摘要

关键词

AlN薄膜/AlGaN材料/紫外LED/异质外延/纳米级孔洞

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

李路,徐俞,曹冰,徐科..AlGaN基深紫外LED的外延生长及光电性能研究[J].人工晶体学报,2022,51(7):1158-1162,5.

基金项目

国家自然科学基金重点项目(61734008,62174173) （61734008,62174173）

江苏省重点研发计划(BE2021008-3) （BE2021008-3）

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

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