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p型4H-SiC单晶衬底表征及第一性原理计算

罗东 贾伟 王英民 戴鑫 贾志刚 董海亮 李天保 王利忠 许并社

人工晶体学报2022，Vol.51Issue(7)：1169-1176,8.
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人工晶体学报2022，Vol.51Issue(7)：1169-1176,8.

p型4H-SiC单晶衬底表征及第一性原理计算

Characterization and First-Principles Calculations of p-Type 4 H-SiC Single Crystal Substrates

罗东 1贾伟 1王英民 2戴鑫 3贾志刚 1董海亮 1李天保 4王利忠 3许并社1

作者信息

  • 1. 太原理工大学,新材料界面科学与工程教育部重点实验室,太原 030024
  • 2. 中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津 300220
  • 3. 山西烁科晶体有限公司,太原 030024
  • 4. 太原理工大学材料科学与工程学院,太原 030024
  • 折叠

摘要

关键词

p型4H-SiC/物理气相传输/单晶衬底/结构表征/Al掺杂/第一性原理/半导体

分类

数理科学

引用本文复制引用

罗东,贾伟,王英民,戴鑫,贾志刚,董海亮,李天保,王利忠,许并社..p型4H-SiC单晶衬底表征及第一性原理计算[J].人工晶体学报,2022,51(7):1169-1176,8.

基金项目

山西省重点研发项目(201903D111009) （201903D111009）

山西浙大新材料与化工研究院(2021SX-AT002) （2021SX-AT002）

国家自然科学基金(61604104,21972103,61904120) （61604104,21972103,61904120）

山西省自然科学基金(201901D111109) （201901D111109）

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

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