人工晶体学报2022，Vol.51Issue(7)：1300-1308,9.
化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展
Advances in Chemical Vapor Deposition Equipment Used for SiC Epitaxy
摘要
关键词
碳化硅/外延生长设备/化学气相沉积/外延生长机理/反应室/第三代半导体/宽禁带半导体分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
韩跃斌,蒲勇,施建新..化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展[J].人工晶体学报,2022,51(7):1300-1308,9.基金项目
材料科学姑苏实验室定向攻关类项目(G2110) （G2110）
