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变掺杂变组分AlxGa1–xAs/GaAs反射式光电阴极分辨力特性

邓文娟 朱斌 王壮飞 彭新村 邹继军

物理学报2022,Vol.71Issue(15):265-271,7.
物理学报2022,Vol.71Issue(15):265-271,7.DOI:10.7498/aps.71.20220244

变掺杂变组分AlxGa1–xAs/GaAs反射式光电阴极分辨力特性

Resolution characteristics of varying doping and varying composition AlxGa1–xAs/GaAs reflective photocathodes

邓文娟 1朱斌 2王壮飞 2彭新村 2邹继军1

作者信息

  • 1. 东华理工大学,核技术应用教育部工程研究中心,南昌 330013
  • 2. 东华理工大学,江西省新能源工艺及装备工程技术中心,南昌 330013
  • 折叠

摘要

关键词

变掺杂变组分/调制传递函数/内建电场/分辨力

引用本文复制引用

邓文娟,朱斌,王壮飞,彭新村,邹继军..变掺杂变组分AlxGa1–xAs/GaAs反射式光电阴极分辨力特性[J].物理学报,2022,71(15):265-271,7.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:61961001,11875012,62061001,61771245)、江西省自然科学基金(批准号:20181BAB202026,20192ACBL20003,20202BAB202013,20203BBE53030)和江西省"双千计划"(批准号:jxsq2019201053)资助的课题. (批准号:61961001,11875012,62061001,61771245)

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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