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高压下G_(2)ZT晶体结构、电子结构和光学性质的第一性原理研究OA北大核心

中文摘要

基于密度泛函理论的第一性原理研究了高压下富氮含能材料(双3,4,5-三氨基-1,2,4-三唑)-5,5′-偶氮四唑(G_(2)ZT)的几何结构、电子结构和光学性质。结果表明,在考虑范德瓦尔斯色散修正和密度泛函色散修正的情况下,分子晶体结构数据与实验结果的相对误差均在3%以内。Hirshfeld表面分析结果表明,随着压强增大,分子间氢键的相互作用减弱。G_(2)ZT晶体在零压下的能带带隙为2.03 eV,是一种p型半导体。随着压强增大,带隙变…查看全部>>

李佐;刘云;廖大麟;成丽红

贵州工程应用技术学院理学院,贵州毕节551700贵州工程应用技术学院理学院,贵州毕节551700贵州工程应用技术学院理学院,贵州毕节551700贵州工程应用技术学院理学院,贵州毕节551700

数理科学

G_(2)ZT晶体高压电子结构光学性质

《高压物理学报》 2022 (4)

P.13-23,11

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