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砷化镓光导开关的损伤形貌研究

沙慧茹 肖龙飞 栾崇彪 冯琢云 李阳凡 孙逊 胡小波 徐现刚

强激光与粒子束2022，Vol.34Issue(9)：140-145,6.
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强激光与粒子束2022，Vol.34Issue(9)：140-145,6.DOI:10.11884/HPLPB202234.210579

砷化镓光导开关的损伤形貌研究

Damage morphology of GaAs photoconductive switch

沙慧茹 1肖龙飞 2栾崇彪 1冯琢云 2李阳凡 3孙逊 1胡小波 2徐现刚3

作者信息

  • 1. 山东大学 新一代半导体材料研究院,济南 250100
  • 2. 山东大学 晶体材料国家重点实验室,济南 250100
  • 3. 中国工程物理研究院 流体物理研究所,四川 绵阳 621900
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摘要

关键词

光导开关/砷化镓/损伤/形貌/热效应

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

沙慧茹,肖龙飞,栾崇彪,冯琢云,李阳凡,孙逊,胡小波,徐现刚..砷化镓光导开关的损伤形貌研究[J].强激光与粒子束,2022,34(9):140-145,6.

基金项目

山东省重点研发计划项目(2019JMRH0901) （2019JMRH0901）

山东省重点研发计划项目(2019JMRH0201) （2019JMRH0201）

强激光与粒子束

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-4322

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