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异质衬底外延碲镉汞薄膜位错抑制技术进展

杨晋 李艳辉 杨春章 覃钢 李俊斌 雷文 孔金丞 赵俊 姬荣斌

红外技术2022,Vol.44Issue(8):828-836,9.
红外技术2022,Vol.44Issue(8):828-836,9.

异质衬底外延碲镉汞薄膜位错抑制技术进展

Research Progress of Dislocation Density Reduction in MBE HgCdTe on Alternative Substrates

杨晋 1李艳辉 1杨春章 1覃钢 1李俊斌 1雷文 1孔金丞 1赵俊 1姬荣斌1

作者信息

  • 1. 昆明物理研究所,云南 昆明 650223
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摘要

关键词

碲镉汞/异质衬底/位错抑制/循环退火/位错阻挡/台面位错吸除

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

杨晋,李艳辉,杨春章,覃钢,李俊斌,雷文,孔金丞,赵俊,姬荣斌..异质衬底外延碲镉汞薄膜位错抑制技术进展[J].红外技术,2022,44(8):828-836,9.

基金项目

核高基重大专项项目. ()

红外技术

OA北大核心CSTPCD

1001-8891

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